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簡(jiǎn)要描述:天康微差壓變送器以差動(dòng)電容為檢測原理,組成微差壓電容式變送器,輸入壓力為0-50~1000Pa,輸出4~20mA DC模擬信號。使用對象:液體、氣體和蒸氣。
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天康微差壓變送器工作原理及結構:
MEMS(微電子機械加工系統)的系列高穩定性單晶硅壓力傳感器,具有多項的性能,可廣泛應用于石油化工,冶金電力,工業(yè)自動(dòng)化、航空航天、核能等領(lǐng)域。
天康微差壓變送器主要工作原理:
主單元包括傳感器和過(guò)程連接,工作原理如下:傳感器模塊采用全焊接技術(shù),內部擁有一個(gè)整體化的過(guò)載膜片,一個(gè)溫度傳感器和一個(gè)壓力/差壓傳感器。溫度傳感器作為溫度補償的參考值。壓力/差壓傳感器通過(guò)隔離膜片和填充液,傳遞給壓力/差壓傳感器的硅芯片,使壓力/差壓傳感器的芯片的阻值發(fā)生變化,從而導致檢測系統輸出電壓變化。該輸出電壓與壓力變化成正比,再由適配單元和放大器轉化成一標準化信號輸出。
系列單晶硅傳感器的特性:
● 全不銹鋼316L硅油充灌焊接密封結構;
● EMC符合GB/T 18268.1-2008標準要求;
● 傳感器中心傳感單元采用的高精度單晶硅傳感器技術(shù),最高可達±0.05%級的精度;
● 傳感器內部集成高靈敏度溫度傳感器,單晶硅傳感器受溫度影響的性能優(yōu)≤±0.04%/10K;
■ 高純度單晶硅材質(zhì)
系列單晶硅芯片采用超高純度單晶硅材質(zhì),其材質(zhì)特性遠遠優(yōu)于市場(chǎng)上現有的復合硅、擴散硅芯片。
■ 雙梁懸浮式MEMS技術(shù)
系列單晶硅芯片采用雙梁結構,雙層惠斯通電橋布局,雙橋路相互補償,提高信噪比,達到最佳溫度特性。中間層弧角式懸浮,有效分解應力,實(shí)現超高過(guò)壓。
■ 1KPa…40MPa標準量程
1KPa,4KPa,40KPa,100KPa,200KPa,400KPa,4MPa,40MPa八個(gè)標準量程,涵蓋過(guò)程控制全壓力范圍。最小標準量程1KPa,保證微差壓段性能。
■ 全球 橋路電阻:10KΩ
有效控制溫度影響,保證輸出信號超高信噪比,功耗低。
■ 具有大過(guò)載的正負壓腔過(guò)壓性能
1KPa芯片過(guò)壓達1.5MPa(1500倍過(guò)壓)。
4KPa芯片過(guò)壓達2.5MPa(625倍過(guò)壓)。
絕大部分微壓力/差壓傳感器的應用可實(shí)現無(wú)保護膜片結構,提高整體準確度與靜壓特性,同時(shí)簡(jiǎn)化傳感器結構、降低成本,讓利于用戶(hù)。
■ 芯片單晶硅層厚度達2.5mm
在硅芯片技術(shù)中,硅片的尺寸與有效硅層的厚度將對芯片的成本和性能起到很關(guān)鍵的作用。而且統一的傳感器芯片材質(zhì),將更好的實(shí)現溫度特性,讓芯片在溫度變化時(shí),應力特性一致。采用全單晶硅材質(zhì),尺寸與厚度都為行業(yè)內最大,不惜成本,注重品質(zhì)。
■ 芯片結構的梅花鏡像布局
芯片惠斯通電橋與引線(xiàn)布局,采用梅花鏡像對稱(chēng)布局。全對稱(chēng)布局、均衡受力,減小噪聲來(lái)源,同時(shí)也方便一次封裝,提高穩定性與一致性。
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